SK Hynix разработи по-ефективна технология за производството на 16 Gb чипове DDR4 DRAM

Компанията SK hynix официално заяви, че е успяла да разработи DRAM DDR4 (Double Data Rate 4) чипове с капацитет 16 Gb, които се произвеждат чрез 1Z нанометров технологичен процес.

Посочва се, че 16 Gb е рекордът в тази област по плътност на запис на информация на един чип. Едновременно с това е постигната и рекордна плътност на изготвянето на DRAM памети от една силициева пластина. Новата технология увеличава с 27% броя на чиповете, които се получават от една пластина, сравнено с предишния 1Y технологичен процес. Освен това, за новия технологичен процес не е необходимо използването на скъпата фотолитография с екстремно ултравиолетово излъчване и по този начин технологията е много по-конкурентна, понеже разходите са по-ниски.

Новата технология дава и редица други преимущества. Така например, новата памет, произвеждана чрез 1Z технологичен процес, осигурява скорост за обмен на данни до 3200 Mb/s, което е най-високият резултат за DDR4 интерфейса. Освен това, новата памет е и по-икономична. RAM плочките с новата памет консумират с 40% по-малко енергия в сравнение с модулите със същия капацитет, в които се използват 8 Gb чипове, произведени чрез предишната 1Y технология.

SK hynix се подготвя в най-близко бъдеще да започне да използва 1Z технологията и за други продукти, включително LPDDR5 и HBM3 памети.