Toshiba разработи високоскоростни флаш-чипове DDR NAND

Компанията Toshiba представи нови чипове флаш-памет DDR (double data rate toggle mode) NAND, които се отличават с по-високите си скоростни характеристики при работа в сравнение с традиционните чипове. Това се обяснява с използването на по-високоскоростен интерфейс, способен да предава по-голямо количество данни за единица време. Устройствата DDR NAND са способни да осъществят до 133 млн. предавания в секунда, което 3 пъти превишава показателя (40 млн. предавания) на съвременните чипове SLC (single level cell) NAND.

Устройствата са изготвени по нормите на 32-nm технологичен процес. На базата на технологията DDR NAND могат да се произвеждат флаш-чипове MLC (multi level cell) и SLC (single level cell). Въпреки увеличаването на скоростта, в характеристиките на новите флаш-чипове се отбелязва, че консумацията на енергия е по-ниска от тази на съвременните устройства. Новите модели работят в асинхронен режим, аналогично на болшинството от съвременни флаш-чипове.

Съобщава се, че Toshiba има намерение да помести във флаш-чиповете DDR NAND капацитети от 32, 64 и 128 GB (4, 8 и 16 GB), но датата на пускането на тези устройства в продажба, както и размерът на препоръчителните им цени не се съобщават. Основната сфера, в която могат да бъдат използвани тези чипове, се посочват SSD-устройствата, мултимедийните плейъри, смартфони, интернет-таблетите и други подобни.

От Toshiba отбелязват, че производителността на чиповете DDR NAND в скоро време може да бъде повишена, като второто поколение такива устройства ще могат да позволят до 400 млн. предавания в секунда.