Western Digital и Kioxia съобщиха, че успешно са разработили ново поколение 3D NAND флаш памет. Чиповете се произвеждат чрез технологията BiCS5 (Bit-Cost-Scaling от 5-то поколение). Те имат 112 слоя, а тяхното серийно производство ще започне през втората половина на тази година. Първи от поточните линии ще слязат 52 Gb чипове 3D NAND TLC, пробното производство на които ще започне след месец и половина. След това ще започне и произвеждането на TLC с капацитет 1 Tb и QLC с вместимост 1,33 Tb.
Благодарение на прехода от 96 към 112 слоя, новите 3D NAND ще имат с 40% по-висока информационна плътност в сравнение с паметите, произведени с помощта на предишните технологии. По този начин осезателно ще намалее себестойността на продукта. Едновременно с това ще намалее входно/изходната латентност, а скоростта за обмен на информацията ще нарасне с един и половина пъти. Новите чипове памет ще се произвеждат в заводите Western Digital и Kioxia, разположение в японските градове Йокаичи и Китаками.
Да отбележим, че другите производители вече изпреварват Western Digital и Kioxia в прехода към чипове 3D NAND памет с над 100 слоя. Така например, Samsung започна да произвежда подобни памети още в средата на миналата година, а SK Hynix и Micron представиха 128-слойни памети през последното тримесечие на миналата година. И още, Intel възнамерява тази година да представи на пазара SSD със 144-слойни чипове памет тип 3D NAND QLC.