Инженери от университета в Саутхямптън, Англия са разработили метод, чрез който биполярните транзистори стават двойно по-бързи. Биполярните транзистори са устройства, използвани в мобилните телефони и различни уайърлес системи. Според професор Питър Ашбърн, който е направил това изследване заедно с STC Microelectronics, изследователите са използвали стандартна силиконова биполярна техника с флуоринови инплантанти за да достигнат до 110 гигахерца, което е двойно повече от предишния рекорд.
„Чрез използване на тези инплантанти транзисторът може да работи при по-голяма честота, което означава, че ще е двойно по-бърз,“ казва професор Ашбърн. Флуориновите инплантанти се използват за да потиснат дифузията на бора в основата на транзистора, което прави основата по-тясна и позволява на електроните да преминат по-бързо.
„Това означава, че електронната индустрия ще постигне по-добри резултати с малко повече усилия,“ коментира професор Ашбърн.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
