Тази седмица Fujitsu публично разкри детайли за своя разработка, върху която компанията е работила в продължение на години. Това е технология, благодарение на която ще е възможно производството на NOR флаш памет, характеризираща се основно с изключително нискo време на достъп и ниско енергопотребление в работен режим. Задълбочавайки се още в списъка с характеристики, от Fujitsu посочват 100 000 цикъла на презапис, около 2.5 пъти по-ниско време на достъп, достигащо 10 ns спрямо текущото поколение флаш памети, както и понижено с 2/3 енергопотребление до 9 µA.
Използвайки друга патентована технология на Fujitsu, наречена FCRAM (fast-cycle random-access memory), приложението на NOR става възможно в най-различни области. Примери за това са микроконтролери с вградена флаш памет в областта на битовата електроника, автомобилостроенето и промишлеността.
Засега няма точна дата кога новата технология ще навлезе масово, но от Fujitsu обещават това да стане възможно най-скоро.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
