Разработват нов тип по-ефективна DRAM памет

Работейки заедно за доброто на цялата RAM индустрия, Semiconductor Research Corporation (SRC), водещ университетски консорциум за полупроводникови технологии, и изследователи от Yale University, са успели да произведат нов тип DRAM клетка, която трябва да увеличи конкуренцията при паметите в технологично и пазарно отношение.

Именувана Ferroelectric DRAM (FeDRAM), новата DRAM клетка има структура, която много наподобява CMOS транзистор и сравнена с конвенционалната DRAM е способна да предложи по-висока степен на скалиране в производителността, по-малки размери на самата клетка, по-ниска консумация на електроенергия и възможност за съхраняване на повече от 1 бит информация в рамките на 1 клетка.

Учените очакват да демонстрират FeDRAM пред публика много скоро, а очакванията им са FeDRAM да бъде готова за производство в обозримо бъдеще.