ASML се подготвя за масовото внедряване на High-NA EUV литография догодина – за 1,4 nm и по-модерни чипове

Нуждата от по-нататъшна миниатюризация на полупроводниковите елементи принуждава производителите да прилагат по-усъвършенствани производствени методи. Що се отнася до литографията, през следващите две години индустрията ще направи още една важна стъпка в тази посока, като започне производството на чипове с помощта на оборудване за High-NA EUV литография.

Високата числова апертура, определяна от стойност 0,55 позволява на такова оборудване да произвежда елементи с размер до 8 nm в рамките на едно преминаване, използвайки екстремно ултравиолетово лъчение (EUV) лъчение. Такова оборудване открива възможност за масово производство на интегрални схеми по 1,4 nm стандарти и чипове памет DRAM по процеси, по-модерни от 10 nm.

Според представители на ASML, която произвежда оборудване за производство на чипове от клас High-NA EUV, първите ѝ клиенти в тази област трябва да бъдат Intel, Samsung и SK hynix. Очевидно най-големият договорен производител на чипове TSMC просто не е готов за масово въвеждане на такова оборудване по икономически причини, тъй като една High-NA EUV система струва 380 млн. долара. TSMC няма да използва такова оборудване при производството на 1,4 nm чипове.

Още през декември миналата година Intel отбеляза, че вече е поръчала скенера ASML Twinscan EXE:5200B, който ще бъде полезен за масовото производство на чипове, използващи технологията Intel 14A. Междувременно свързаното с това оборудване инструментариум трябва да бъде адаптиран към новите технологични стандарти, така че не всичко зависи от литографските скенери на ASML.

Според южнокорейски медии и Samsung е получила първия скенер ASML Twinscan EXE:5200B през декември миналата година, а вторият ще бъде доставен през настоящото полугодие. Съобщава се, че това оборудване ще бъде полезно за договорното производство на Samsung на собствената ѝ 2 nm фамилия процесори Exynos 2600 и бъдещите процесори на Tesla, които ще произвежда по договор за автомобилния производител. Конкурентът SK hynix усвоява High-NA EUV оборудването на ASML от септември миналата година. Компанията започна да използва конвенционална EUV литография за производство на DRAM още през 2021 година. SK hynix ще използва поне пет EUV слоя в кристала при производството на чипове памет според шестото поколение на 10 nm процес. Американската компания Micron Technology все още не е взела решение относно сроковете и възможността за прилагане на High-NA EUV.

Японският стартъп Rapidus едва сега започва да усвоява производството на 2 nm продукти, но възнамерява в крайна сметка да произвежда 1,4 nm чипове в бъдещото си предприятие в Япония от 2029 година. До есента на 2027 година компанията трябва да започне масово производство на 2 nm чипове на остров Хокайдо. Предпазливостта при въвеждането на по-скъпо оборудване за производство на чипове е разбираема, тъй като разходите за закупуването му ще трябва да се прехвърлят към производствените разходи и крайните потребители ще трябва да плащат за него. Като цяло новото поколение литографски скенери на ASML за масово производство на съвременни полупроводникови продукти ще започне да се използва през 2027-2028 година.