NEO Semiconductor представи чиповете 3D X-AI, предназначени да заменят паметта HBM, която се използва в сегашните ускорители, базирани на графични процесори. Паметта от типа 3D DRAM има вграден модул за ИИ обработка, който поема потоците от данни, които не...
Сегментът на HBM паметта в момента се развива много динамично, тъй като това е паметта, използвана в търсените на пазара изчислителни ускорители за системи с изкуствен интелект. Samsung Electronics съобщи за разработването на първия в света 12-степенен стек HBM3E...
Технологичният уеб портал Expreview обърна внимание, че новите версии на флаш дисковете WD SN550 Blue, които към днешен ден се е на първо място в рейтинга на бюджетните SSD на пазара, вече се доставят с други NAND чипове. Партидите...
Samsung Electronics сподели плановете си да анонсира по време на CES 2018 своята първа GDDR6 памет, която ще се използва във видеокартите от следващо поколение. Новият чип е индексиран като K4ZAF325BM-HC14 и е с капацитет 16 Gb (2 GB)....
Започна разработката на спецификациите на DDR5 DRAM. Организацията JEDEC съобщи, че работата върху DDR5 DRAM трябва да приключи през 2018 година. Новата DDR5 оперативна памет ще замени сегашната DDR4 в компютрите и сървърите. DDR5 ще бъде двойно по-бърза при...
Samsung започва масово производство на 3GB модули за следващото поколение смартфони. Новото поколение мобилна DRAM ще използва четири LPDDR3 чипа, а техният размер е най-малкия в индустрията - 20 нанометра. Новите памети са с височина 0,8 милиметра, което ще...
