eUFS 3.1

Samsung стартира производството на нова eUFS 3.1 флаш памет за смартфони

Samsung дава начало на масовата продукция на чипове с по 512 GB eUFS 3.1 флаш памет. Тя ще се използва в следващите флагмани на компанията. Паметта е от типа V-NAND, който успешно се прилага в серията SSD дискове Samsung...

Нови ревюта

На вид е Yoga, отвътре е малка работна станция: тествахме Lenovo Yoga Pro 7i Gen 11

Има един много прост тест за лаптоп, който претендира, че е направен за хора, работещи в движение: колко често се налага да правиш компромис,...

Най-четени