Samsung дава начало на масовата продукция на чипове с по 512 GB eUFS 3.1 флаш памет. Тя ще се използва в следващите флагмани на компанията. Паметта е от типа V-NAND, който успешно се прилага в серията SSD дискове Samsung Evo, и се произвежда в Кси’ан в Китай (като се очаква да се премести в Корея скоро поради нарасналия интерес). Разликата от предишната серия eUFS 3.0 е покачване в скоростта на запис на данни с около три пъти. Според Samsung с това eUFS 3.1 ще прекрачи границата на трансфер на данни от 1GB/s за първи път в мобилен телефон.
Със скорост на записване от около 1 200 MB/s, флаш паметта на Samsung може да записва и съхранява 8К видео и стотици големи снимки без забавяне и буфериране. Четенето остава същото на ниво 2 100 MB/s Според Samsung, в тази памет 100GB данни могат да се прехвърлят за около минута и половина. Освен 512GB, компанията планира да произведе и 128 и 256-гигабайтови варианти на чипа за смартфони.
Новата флаш памет би била изключително подходяща за новите Samsung Galaxy S20 смартфони, макар че не можем да не си зададем въпроса защо не успяха да нагласят датите така, че да могат да я вградят в тазгодишните флагмани. С техните способности да записват 8К видео това би било страхотна възможност за ефикасен трансфер на данни.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
