TSMC, съвместно с учени от Тайванския институт за изследване на индустриалните технологии (ITRI) представиха нов вид SOT-MRAM памет. Новата памет е предназначена за изчисления в паметта и кеш приложения от най-високо ниво. Тя се отличава с непроменливост, ниска латентност...
Японските специалисти от университета Тохоку представих първите в света 128 MB чипове памет тип STT-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory). Времето за запис на информация в новата памет не превишава 14 наносекунди. Това е рекордно кратко време и...
SK Hynix и Toshiba официално съобщиха за новите си достижения в разработването и производството на магниторезистивна памет (MRAM).
Информацията в MRAM паметта се съхранява с помощта на магнитни моменти, а не чрез електрически заряди. Магнитните елементи са сформирани от два...
IBM отбеляза 20 години от създаването на енергийно независимата магниторезистивната памет с произволен достъп (MRAM). Всичко започна с управлението на единична клетка с помощта на електромагнитно поле, като тази технология сега бе значително усъвършенствана и се превърна в клетка...
