SK Hynix и Toshiba официално съобщиха за новите си достижения в разработването и производството на магниторезистивна памет (MRAM).
Информацията в MRAM паметта се съхранява с помощта на магнитни моменти, а не чрез електрически заряди. Магнитните елементи са сформирани от два феромагнитни слоя, разселени чрез тънък диелектрик. Един от слоевете е постоянен магнит, намагнитен в точно определено направление, а намагнитеността на другия се осъществява чрез въздействието на външно магнитно поле.
SK Hynix и Toshiba са използвали технологията STT-MRAM — Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory, при която се използва преноса на спина за презапис на клетките памет. Чрез този ефект рязко се намалява силата на тока, необходима за запис на информация в клетките.
Модулът STT-MRAM памет, създаден от специалистите на SK Hynix и Toshiba, е с информационен обем 4 Gb. Той се състои от осем отделни модула с обем по 512 Mb всеки от тях. Тази памет е характерна със своята енергийна независимост, кратко време за достъп и висока скорост за обмен на данни.
По подробно за новата памет и за използваните технологии ще бъде разказано по време на мероприятието ISSCC 2017 през месец февруари следващата година. Комерсиалните продажби на STT-MRAM паметта се очакват след около 3 години.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
