На всички специалисти е добре известно, че колкото е по-малък технологичния процес, толкова по-бърз и по-икономичен е чипът. Днес никой не се учудва на 16 нанометров технологичен процес, а тази година по всичко личи, че стане годината на 10 нанометровите процесори.
Веднага след Samsung и TSMC въведе използването на 10 нанометров технологичен процес и започва неговото използване в производството на нови чипове. Днес се появи информация, че тази технология на TSMC ще се използва в производството на системата-върху-чипа Kirin 970, която ще има 8 процесорни ядра и ще се произвежда чрез новия 10 нанометров FinFET технологичен процес.
Чипът Hisilicon Kirin 970 се очаква да се появи през втората половина на тази година и ще разполага с бързите Cortex-A73 процесорни ядра с тактова честота 2,8-3,0 GHz. Освен това новият чип трябва да получи LTE модем, покриващ изискванията на стандарта Cat.12 и ще бъде първата SoC с графично ядро ARM Heimdallr MP.
Очаква се, че Kirin 970 ще дебютира в смартфона Huawei Mate 10.
Една от най-характерните особености на новия чип е не само най-новият технологичен процес, а и поддръжката на 5G и технологията FinFET с обемно разположение на транзисторите.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
