Intel, подкрепена от SoftBank, е готова да пусне алтернатива на HBM паметта до 2029 г

Въпреки популярността си, HBM паметта не е идеална, тъй като остава скъпа и енергоемка, а увеличеното производство на традиционна DRAM също е засегнато. SoftBank и Intel възнамеряват да стартират масово производство на нова памет от типа ZAM до 2029 г.

Дъщерното дружество на SoftBank, Saimemory, ще отговаря за разработването на Z-Angle Memory (ZAM) и продажбите на готовия продукт, докато Intel ще сподели своите технологии за производство и опаковане. Самото обозначение Z-Angle показва намерението на разработчиците да увеличат височината на паметта по координатата Z. По същество, следвайки примера на HBM, това ще бъде стек от няколко нива чипове, но ще използва по-усъвършенствани методи за опаковане и по-ефективна архитектура.

Теоретично, това би трябвало да позволи увеличение на отделния капацитет на стека памет ZAM два или три пъти спрямо HBM, като същевременно намали наполовина консумацията на енергия и запази или намали производствените разходи с 40%. Според предварителните данни, Intel е готова да предложи за производството на ZAM технология за опаковане на NGDB памет, което ще подобри енергийната ефективност спрямо HBM. В допълнение към базовия кристал, стекът от съществуващи прототипи включва осем DRAM нива. ZAM паметта ще бъде по-лесна за производство от HBM, което ще позволи бързо мащабиране на производствените обеми. Прототипи на тези чипове ще бъдат демонстрирани от партньорите до края на март 2028 г. Очаква се масовото производство на новия тип памет да започне през следващите 12 месеца. Fujitsu също участва в проекта от японска страна.