Компанията Hynix Semiconductor, известен производител на полупроводникови продукти, обяви нови модули оперативна памет DDR2 за работа на платформи Intel. Проверката на съответствието на техническите условия е станала на небуферирани модули UDIMM (unbuffered DIMM) 1 GB (HMP112U6DFR8C) и 2 GB (HMP125U6DFR8C), работещи на ефективна честота 800 MHz, изработени по 54 нм.
По данни на корейската компания, 1 GB чиповете са минали процедурата още през ноември миналата година. Преходът от 60-нм технологичен процес към 54 нм. е довел до намаляване площта на кристала с 40% и е довел до значително увеличение на скоростните характеристики и е намалил консумацията.
Масовото производство на новите 54-нм DDR2-чипове ще започне през втората половина на 2008 година.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
