Samsung започва масовото производство на първия в света V-NAND (Vertical NAND) чип с капацитет 1 Tb. В чипа се използва структура с вертикално разположение на стековете, даващо възможност за постигане на висока плътност на запис на информацията в сравнение с традиционните 2D решения.
С помощта на новите чипове V-NAND памет, Samsung възнамерява да представи на пазара нови флаш дискове с много голям информационен обем: поставянето на 16 подобни чипа в един корпус дава SSD с капацитет 2 TB. Новите дискове ще бъдат конкурентни и ще предлагат по-големи обеми и по-висока скорост на достъп при по-ниска цена от днешните решения.
Вграждането на новите чипове в различните потребителски устройства като смартфони, камери, лаптопи и таблети трябва да започне в началото на 2018 година.
Едновременно с V-NAND чипа, южнокорейският гигант представи и новия форм фактор за флаш дискове NGSFF, който се предвижда да замени M.2. Анонсираният 16 TB NGSFF диск събира четири пъти повече информация в стандартния 1U рафт, в сравнение с M.2 или NGFF флаш дисковете. По този начин е възможно много по-ефективното използване на пространството в дата центровете, както и по-лесното им мащабиране.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
