По време на събитието Flash Memory Summit, което се състоя тия дни в Калифорния, Samsung представи няколко решения, базирани на новата технология за производство на флаш памет с триизмерно разположение на клетките (V-NAND).
Освен новите подробности за V-NAND технологията, специалистите на Samsung демонстрираха и първите образци на V-NAND чиповете с информационен обем 1 Tb, както и няколко SSD, базирани на тях.
Масовото производство на новите памети е планирано да започне още следващата година. Освен новите чипове Samsung представи и високопроизводителен универсален контролер за новите памети, който обединява в общ масив 16 от новите чипове, образуващи масив с обем 2 TB. Производителят напомни, че този обем е достатъчен за записа на 70 висококачествени двучасови филми.
Едновременно с производството на новите V-NAND чипове Samsung започва да произвежда и 16 TB NGSFF SSD. Размерите на тези флаш дискове са едва 30.5 x 110 x 4.38 милиметра и са предназначени за използване в сървърните стойки 1U.
NGSFF SSD имат рекордна плътност на информацията и 4 пъти висока скорост на достъп от днешните решения.
Samsung демонстрира масив от 36 NGSFF SSD диска, събрани в една 1U стойка с обем 567 TB, който се справя с натоварване от 10 милиона входно.изходни операции в секунда.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
