Samsung прави огромен пробив в създаването на нов тип памет — Selector-Only Memory

Samsung направи значителен пробив в създаването на нова технология за памет, наречена Selector-Only Memory (SOM). Използвайки усъвършенствани техники за компютърно моделиране, компанията разработи SOM, който съчетава скорости на четене и запис, подобни на DRAM, с енергонезависимост и възможност за стековане, което го прави привлекателен за използване в съвременните устройства.

Технологията SOM се основава на архитектура на кръстосана памет, която е подобна на фазовата памет и резистивната оперативна памет с произволен достъп (RRAM). Тя използва подредени масиви от електроди, което позволява висока производителност. Обикновено се използват селекторни транзистори или диоди за адресиране на памет клетките, които предотвратяват появата на нежелани електрически пътища. Samsung пое по различен път, като изследва нови материали, които могат едновременно да действат като селектор и елемент на паметта.

Samsung избра халкогенидните материали като основа за новата форма на енергонезависима памет. В хода на изследването бяха тествани повече от 4000 различни материала, от които Ab-initio компютърното моделиране помогна да се изберат 18 от най-обещаващите. Основният фокус беше върху подобряването на два ключови параметъра: дрейф на праговото напрежение и оптимизация на прозореца на паметта, които са важни показатели за производителността на SOM.

Традиционно халкогенидните системи Ge, As и Se за такива изследвания са използвани в праговите превключватели (OTS). Samsung обаче разшири този подход, като се фокусира върху по-широка гама от материали, вземайки предвид характеристиките на връзката, термичната стабилност и надеждността на устройството. Това позволи да се постигне по-добра производителност и ефективност на новата памет.

На предстоящото мероприятие International Electronic Devices Expo (IEDM), което ще се проведе от 7 до 11 декември в Сан Франциско, изследователи от Samsung ще представят резултатите от своите изследвания. Те ще споделят подробности относно работата си с халкогенидните материали и ще обяснят как техните пионерски компютърни симулации допринасят за развитието на SOM. В допълнение, екипът на IMEC ще говори на IEDM относно потенциалните атомни механизми, засягащи работата на селекторния компонент в SOM.