Samsung първа пусна HBM4 памет за AI ускорителите Vera Rubin на Nvidia

Не е тайна, че Samsung не се справя много добре в сегмента HBM3E паметта по отношение на сътрудничеството с Nvidia. Компанията дълго време се стремеше да сертифицира продуктите си от тази серия според изискванията на Nvidia, но не успя да установи масови доставки и да измести SK hynix.

Сега обаче Samsung твърди, че е успяла да изпревари конкуренцията, като е започнала търговски доставки на HBM4 за своите клиенти.

Както обяснява Bloomberg, имената на клиентите не са назовани, но е лесно да се предположи, че основният сред тях е Nvidia. На фона на тези изявления цената на акциите на Samsung днес се покачи със 7,6% и достигна исторически връх. Корейският гигант ще трябва да се бори за място във веригата за доставки на Nvidia в сегмента HBM4 със същата SK hynix, както и с американската Micron, която наскоро опроверга слуховете за проблеми със сертифицирането на продуктите си за нуждите на Nvidia.

И трите доставчика трябва да снабдяват Nvidia с HBM4 чипове, тъй като те ще са необходими за производството на AI ускорителите от поколение Vera Rubin и базираните на тях сървърни системи.

Представители на SK hynix заявиха през октомври миналата година, че компанията ще започне да снабдява клиенти с HBM4 чипове през четвъртото тримесечие, но за мащабни доставки може да се говори едва през тази година. Според представителите на Samsung е било възможно да се установи производство на HBM4 в търговски мащаб благодарение на предимството пред конкурентите в областта на литографските технологии. Компанията използва по-усъвършенствана технология (10 nm клас 1c) при производството не само на DRAM кристалите в HBM4 стека, но и на базовия кристал, който се произвежда по 4 nm технология. За разлика от SK hynix, която разчита на услугите на TSMC в тази област, Samsung може сама да произвежда базовите кристали.

В прессъобщението на Samsung се посочва, че паметта от типа HBM4 може да постигне скорост на трансфер на данни до 13 Gbps, като в стабилно състояние скоростта е до 11,7 Gbps.

Според Samsung нивото на добив при производството на HBM4 е достигнало стабилни стойности. От техническа гледна точка HBM4 е в състояние да пренася данни 1,22 пъти по-бързо от HBM3E на база един пин. Като се вземат предвид промените в оформлението и архитектурата, предимството нараства до 2,7 пъти на стек памет. HBM4 постига максимална скорост на трансфер на данни от 3,3 Tbps.

Разположението на 12 слоя позволява да се използват стекове памет с капацитет от 24 до 36GB. Samsung очаква в бъдеще да предложи 16-слойни стекове с капацитет до 48GB. Компанията е проектирала базовия HBM4 кристал по такъв начин, че да осигурява висока енергийна ефективност. Тя е подобрена с 40% чрез използването на нови техники за свързване и оптимизирано оформление за намаляване на консумацията на енергия. В сравнение с HBM3E ефективността на разсейване на топлината е подобрена с 30%, а термичното съпротивление е променено с 10%. Като цяло Samsung очаква да утрои продажбите на всички настоящи типове HBM през тази година. Тя вече е готова да започне да доставя мостри на HBM4E на своите клиенти през втората половина на годината, а през следващата година ще предложи персонализирани варианти на тази памет.