Един от най-големите производители на чипове флаш памет в света – компанията SK Hynix представи първите в в този сектор 72-слойни 3D NAND памети, използващи TLC клетки.
Досега, най-съвременни решения в тази област предлагаха Samsung, Toshiba и Western Digital, които разполагат с 64-слойни памети. SK Hynix подчерта, че новите чипове имат двойно по-голяма вътрешна скорост на работа и 20% по-високо бързодействие при четене и запис, в сравнение с 64-слойните архитектури на Samsung, Toshiba и Western Digital.
Новите 72-слойни чипове 3D TLC NAND памети с информационен обем 256 Gb (32 GB) ще се произвеждат на същите поточни линии, където досега се произвеждаха чиповете памет с 48-слойна архитектура. Масовото производство на паметите с архитектура от 48 слоя започна през месец ноември миналата година и само за 5 месеца специалистите на Samsung разработиха нова технология за производство на чипове с един път и половина по-голяма плътност на записа.
Първите флаш памети с обемна архитектура от 72 слоя трябва да се появят през втората половина на 2017 година.
SK Hynix бързо усъвършенства своя технологичен процес – през месец април 2016 година представи 36-слойна 3D NAND памет, през месец ноември анонсира 48-слойни памети и сега само след 5 месеца – нови памети с архитектура от 72 слоя.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
