Физиците от националната лаборатория Лорънс в Бъркли създадоха първия в света транзистор с размер на гейта едва 1 нанометър. Това е с около 10 пъти по-малко от размера на най-малките към днешен ден транзистори.
Счита се, че поради квантовите ограничения, гейтът на силициевият транзистор не може да бъде по-малък от 5 nm. При по-малък гейт, върху работата на електронния елемент започва да оказва влияние тунелния ефект. В този случай транзисторът престава да работи поради твърде голямата утечка и други проблеми.
За да се избегнат ограниченията на силиция, учените използват други материали, като например молибденов дисулфид, графен или въглеродни тръби.
Учените от Бъркли успяха да обединят в едно молибденов дисулфид (MoS2) и въглеродни нанотръби. Тази комбинация значително намалява размера на гейта. Най-малкият транзистор в света се състои от три основни слоя. Това са силициева подложка, следва пласт от циркониев дисулфид, преминаващата през този материал въглеродна тръба и накрая слой от молибденов дисулфид. Последният слой съединява сорса и дрейна на полевия транзистор. Молибденовият дисулфид подобно на силиция има кристална структура. Но преминаващите през MoS2 електрони са по-тежки отколкото в силиция. А това означава, че електроните по-добре се задържат от енергийното поле на гейта.
Всичко това означава, че законът на Мур ще продължи да действа. Всъщност много учени се изказват, че законът на Мур е дело на Intel и неговата маркетингова кампания.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
