21.6 C
София

Samsung стартира производството на нова eUFS 3.1 флаш памет за смартфони

Най-четени

Даниел Десподовhttps://www.kaldata.com/
Ежедневен автор на новини. Увличам се от съвременни технологии, оръжие, информационна безопасност, спорт, наука и концепцията Internet of Things.

Samsung дава начало на масовата продукция на чипове с по 512 GB eUFS 3.1 флаш памет. Тя ще се използва в следващите флагмани на компанията. Паметта е от типа V-NAND, който успешно се прилага в серията SSD дискове Samsung Evo, и се произвежда в Кси’ан в Китай (като се очаква да се премести в Корея скоро поради нарасналия интерес). Разликата от предишната серия eUFS 3.0 е покачване в скоростта на запис на данни с около три пъти. Според Samsung с това eUFS 3.1 ще прекрачи границата на трансфер на данни от 1GB/s за първи път в мобилен телефон.

Със скорост на записване от около 1 200 MB/s, флаш паметта на Samsung може да записва и съхранява 8К видео и стотици големи снимки без забавяне и буфериране. Четенето остава същото на ниво  2 100 MB/s Според Samsung, в тази памет 100GB данни могат да се прехвърлят за около минута и половина. Освен 512GB, компанията планира да произведе и 128 и 256-гигабайтови варианти на чипа за смартфони.

Новата флаш памет би била изключително подходяща за новите Samsung Galaxy S20 смартфони, макар че не можем да не си зададем въпроса защо не успяха да нагласят датите така, че да могат да я вградят в тазгодишните флагмани. С техните способности да записват 8К видео това би било страхотна възможност за ефикасен трансфер на данни.

Абонирай се
Извести ме за
guest
2 Коментара
стари
нови оценка
Отзиви
Всички коментари

Нови ревюта

Подобни новини