fbpx
18.8 C
София

Samsung започва производство на чипове, базирани на 3nm технологичен процес

Моделите ще са с архитектура Gate-All-Around

Най-четени

Samsung Electronics обяви началото на производството на чипове, базирани на 3-нанометров технологичен възел, използващ транзисторна архитектура Gate-All-Around (GAA).

Архитектурата GAAFET, която замества сегашната FinFET, се разработва от 2000 г. от организация, включваща IBM, Globalfoundries и Samsung. Тя е предназначена да помогне за преодоляване на физическите ограничения на мащабируемостта на MOS. Основната характеристика на GAAFET са пръстеновидните портали (оттук идва и наименованието Gate-all-around FET). Каналите на GAAFET транзисторите са нановлакна (образувани са от множество хоризонтални силициеви „нанолистове“). От друга страна, каналът на FinFET транзистора под гейта е монолитна вертикална „перка“, която налага ограничения за мащабиране.

Samsung разполага със собствена реализация на технологията GAAFET, която носи маркетинговото име Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). В действителност MBCFET се различава от GAAFET не само по името, но и технически. В случая с реализацията на Samsung каналите са направени като плоски „мостове“, а не като „жици“.

Samsung твърди, че технологията MBCFET преодолява ограниченията на FinFET, като подобрява енергийната ефективност чрез по-ниски нива на захранващото напрежение, както и повишава производителността чрез увеличаване на толерантността на задвижването. Патентованата технология на Samsung използва нановлакна с по-широки канали, което осигурява по-добра производителност и по-висока енергийна ефективност в сравнение с технологията GAA, която използва нановлакна с по-тесни канали. Използвайки 3nm GAA технология, Samsung ще може да регулира ширината на каналите на нановлакната, за да оптимизира консумацията на енергия и производителността, за да отговори на различните нужди на клиентите.

Новата технология ще бъде използвана за производство на полупроводникови чипове за високопроизводителни компютърни приложения с ниска консумация на енергия, а също така планира да я разшири до мобилни процесори.

Samsung отбелязва, че оптимизираната 3nm технология осигурява 45% намаление на консумацията на енергия, 23% увеличение на производителността и 16% по-малка площ на чипа в сравнение с 5nm процеса.

Освен това Samsung обявява предоставянето на инфраструктура и услуги за 3nm проектиране с партньорите от SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem), включително Ansys, Cadence, Siemens и Synopsys. Това трябва да помогне на клиентите да подобрят продукта си възможно най-бързо.


Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iOS и Huawei!

Абонирай се
Извести ме за
guest

3 Коментара
стари
нови
Отзиви
Всички коментари

Нови ревюта

Asus Zenfone 9: Малкият голям смартфон

Преди седмица Asus представи новия си флагман Zenfone 9. С него компанията продължава традицията за компактен форм-фактор като флагмана от предишното си поколение. Исторически погледнато,...

Подобни новини