Корпорацията Phison Electronics съобщи за плановете си да вгражда буфер, базиран на магниторезистивна памет тип STT-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory). По този начин ще се повиши надеждността и производителността на системите, в които съхраняването на данни е от критично важно значение.
Още следващото поколение контролери на Phison Electronics от корпоративно ниво ще имат контролери с магниторезистивна памет. В самите запомнящи устройства ще се използват чиповете Everspin STT-MRAM с капацитет 1 Mb (128 MB). Основното преимущество на този вид памет пред традиционната DRAM е енергийната независимост, благодарение на което информацията, която не е успяла да се запише в NAND флаш паметта при изключване на захранването няма да бъде изгубена и ще остане в буфера.
Производството на STT-MRAM чипове с капацитет 1 Gb ще се осъществява от компанията Everspin Technologies и трябва да започне през това тримесечие. Повече информация за контролерите на Phison Electronics за флаш дискове с буфер от магниторезистивна памет ще бъде обявена по време на конференцията Flash Memory Summit, която ще протече от 7-ми до 9-ти август в Санта Клара.
Технологията за производство на магниторезистивна памет се разработва от 1990 година. Редица специалисти са на мнение, че тя има потенциала да замени другите типове компютърна памет и да стане една универсална основа на бъдещите запомнящи устройства.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
