Разработени са авангардни сегнетоелектрически транзистори

През последните години специалистите се опитват да разработят алтернативни схемни решения за хардуерните елементи на компютрите, които да им позволят да извършват едновременно изчисления и съхранение на данни. Усъвършенстваната електроника от този тип би могла значително да ускори работата на компютрите. За тази цел тя трябва да бъде изработена от специални материали от рода на сегнетоелектриците. Китайски учени представиха ефективен метод за производство на такива транзистори.

Надеждното и ефикасно съхранение на данни с ниска консумация на енергия изисква материали, които имат свойството спонтанно да се поляризират при липса на външно електрическо поле. Освен това те трябва да могат да бъдат сведени до двуизмерно състояние. Двуизмерните полупроводници, които имат качеството на сегнетоелектрици, се считат за най-подходящи за устройства за изчисления директно в оперативната памет.

Сегментоелектричното отместване възниква при изместване на атомните вандерваалсови слоеве един спрямо друг, което генерира пренос на заряд между слоевете. По този начин се получава промяна в поляризацията.

Учените вече тестват експериментални образци на сегнетоелектриците транзистори в серия от изпитания и потвърждават високия им потенциал за изчисления в паметта. Устройствата демонстрират среден прозорец на паметта от 7 V при приложено напрежение от 10 V, време за съхранение от над 10 на четвърта степен секунди и дълготрайност от над 10 на четвърта степен цикли.

„При дебелина от около два слоя атоми това устройство отговаря на изискванията на съвременните CMOS по-малки от 3 nm“, казва Тило Янг, един от съавторите на съвместния доклад.

Стратегията, предложена от него и колегите му, може да залегне в основата на бъдещите високопроизводителни изчислителни устройства.