Организацията JEDEC представи новата спецификация на многослойната HBM (High Bandwidth Memory) памет. В спецификациите JESD235C се описват HBM2 чипове със скорост за обмен на данни 3,2 Gb/s на контакт. Като се има предвид, че се използва 1024-битова шина, то пропускателната способност на един HBM2 чип е 410 GB/s. Максималният брой елементи на подложката както преди е 12, което дава възможност за създаването на чипове памет с капацитет до 24 GB.
Samsung Electronics не изпусна възможността да напомни за своите собствени чипове памет HBM2E. Да отбележим, че досега името „HBM2E“ не се срещаше в техническите спецификации на JEDEC. То бе за първи път използвано от южнокорейските производители Samsung и SK Hynix, които по този начин маскират своите високоскоростни HBM2 чипове.
През първата половина на тази година Samsung възнамерява да започне серийното производство на HBM2E чипове памет със скорост за обмен на информацията 3,2 Gb/s. Освен това, компанията заяви, че нейните памети ще могат стабилно да работят и извън JEDEC спецификациите при скорости до 4,2 Gb/s на контакт.
В подобен режим пропускателната способност на един подобен чип ще достигне впечатляващите 538 GB/s. За сравнение, 8 GB GDDR6 памет с 256-битова шина и ефективна честота 15,5 GHz, използвана във видеокартата GeForce RTX 2080, има пропускателна способност 495 GB/s.
Новите чипове ще се произвеждат чрез 1y nm процес на Samsung.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
