Intel представи нов стъклен субстрат за сложните чипове на бъдещето с EMIB

Intel представи на изложението NEPCON Japan 2026 нова технология за стъклен субстрат, която ще помогне за производството на чипове за AI ускорители и за сферата на високопроизводителните изчисления.

Новият стънклен субстрат е с размери 78 × 77 mm е достатъчно голям за цялото тяло на чипа – той може да побере около два пъти по-голям размер на фотопластината в сравнение със силиция – около 1716 mm² за логиката и паметта. Това е първият стъклен субстрат в конфигурация 10-2-10, който поддържа технологията EMIB на Intel за многочипови модули. Отгоре са поставени 10 броя RDL интерпозерни слоя за преразпределяне на сигналите от кристала.

Основата на субстрата е двуслойна и е изработена от материал с дебелина 800 µm (0,8 mm), който може да включва вътрешни метални слоеве за вериги през стъклен отвор (TGV), захранващи или заземяващи плочи. Последната цифра „10“ показва броя на слоевете от долната страна – огледално на горните слоеве за свързване към платката. Този слой служи и за организиране на многото проводници на чипа.

Друго предимство на субстрата 10-2-10 на Intel е, че стъпката на контактните пластини е само 45 µm. И накрая, вградени са два EMIB моста за многочипови модулни опаковки – т.е. множество малки чипове могат да бъдат монтирани върху субстрата и свързани помежду си чрез EMIB. Intel е намерила и решение за избягване на проблема SeWaRe с напукването на стъклото по време на производството.

Производството на стъклени субстрати е много по-трудно от това на органични, затова сравнително малко компании разработват тази технология. Сред силните ѝ страни обаче са устойчивостта на топлина, предотвратяването на деформации и подобрената електрическа изолация – намаляват се закъсненията и смущенията на сигналите в гъсто свързани области и се увеличава плътността на взаимовръзките.