ReRAM паметта на компанията 4DS е бърза колкото DRAM

Младата австралийска компания 4DS Memory Limited продължава да усъвършенства енергонезависимата резистивна ReRAM памет с произволен достъп.

За разлика от другите подобни памети, ReRAM на компанията 4DS Memory използва по-различен принцип. Тя изцяло променя своето съпротивление в целия работен слой под въздействието на електрическия ток. Технологията носи името Interface Switching ReRAM, а единичната клетка от този тип памет е патентована под името MOHJO (Metal Oxide Hetero Junction).

Според 4DS Memory, основният проблем при ReRAM паметите е твърде голямото забавяне в режим на четене, което не дава възможност на ReRAM да замести стандартната DRAM памет.

Новата резистивна памет на 4DS Memory няма подобен проблем, понеже целият работен слой на 4DS клетката изцяло се превключва от едно състояние в друго и не зависи от хомогенността на материала, като по този начин става възможно използването на съвсем опростен механизъм за корекция на грешките без особени забавяния. Тестовете показаха, че скоростта на работа на 4DS ReRAM паметта е почти колкото на DRAM.

Австралийската компания 4DS Memory работи съвместно с отдела Hitachi GST на Western Digital. Двете компании имат сключено стратегическо споразумение и след око 3 години се очаква излизането на първите ReRAM памети на пазара.