Южнокорейският производител на чипове SK Hynix представи първите в този сектор 176-слойни чипове 3D NAND памет с по три бита на клетка (TLC). Първите екземпляри от 512 Gb памети вече са изпратени dо производителите на различни SSD контролери за тестване и разработването на крайни продукти.
W новите 176-слойни чипове 3D NAND TLC се използва технологията 4D NAND, при която всички логически елементи и вериги се намират под самия триизмерен масив клетки памет. SK Hynix използва тази технология още от времената на 96-слойните чипове флаш памет, масовото производство на които започна през 2018 година. Благодарение на прехода към 176 слоя, южнокорейският производител е успял да повиши ефективността на производството с 35% и едновременно с това да увеличи с една трета скоростта на обмен на информация – до 1,6 Gb/s.
В началото 512 Gb чипове 3D NAND TLC флаш памет ще бъдат използвани в мобилните устройства, което ще доведе до 70% ръст на максималната скорост на четене и 35 процентен ръст в скоростта на записа на информация. Това трябва да стане през второто тримесечие на следващата година. След това новите чипове памет ще започнат да се използват във флаш дисковете от потребителско и корпоративно ниво. Следващата стъпка на SK Hynix ще бъде серийното производство на 176-слойни чипове флаш памет с капацитет 1 Tb.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
