TSMC се движи към 1 nm технологичен процес: целта – 1 трилион транзистора

Компанията TSMC, която контролира около 70% от световния пазар за производство на силициеви пластини продължава да укрепва технологичното си лидерство. Докато серийното производство по 2 nm технологичен процес N2 вече е започнало, корпорацията активно се подготвя за прехода към следващата стъпка – 1 nm технологичен процес (A10).

Ключова стъпка за стартирането на производството ще бъде изграждането на нови мощности. В Тайнан се планира разширяване на индустриалния парк „Шалун“ с площ от над 5300 декара. Очаква се оценката на въздействието върху околната среда за втората фаза на проекта да бъде завършена през третото тримесечие на 2027 година, след което TSMC ще може да започне строителството на завода, който ще заема не по-малко от 2000 декара.

Според плановете на територията на кампуса в „Шалун“ ще бъдат построени шест фабрики. Първите три (P1-P3) ще бъдат ориентирани към технологичния процес A14 (1,4 nm), а другите три (P4-P6) – към 1 nm технологичния процес A10. В перспектива не се изключва преход и към 0,7 nm стандарти.

Пътната карта на TSMC изглежда по следния начин: след настоящия 2 nm технологичен процес N2, който вече се използва от Apple и AMD, ще последва технологичният процес A16 (1,6 nm). Той ще бъде приложен за първи път в графичния процесор Feynman на Nvidia, като пилотното производство ще започне в края на тази година, а серийното – не по-рано от 2027 година. След това, през 2028 година се очаква излизането на A14 (1,4 nm) с транзисторна структура GAA от второ поколение и заден панел за захранване.

1 nm технологичен процес A10, който ще бъде първият за TSMC, работещ на ниво ангстрьом (1 nm = 10 Å) е планиран за 2030 година.

Техническите подробности все още не са разкрити. В индустрията циркулират слухове за възможен преход от транзисторна структура GAA към по-напредналаta CFET (Complementary Field-Effect Transistor) и дори за използване на 2D-материали.

Една от амбициозните цели на TSMC, поставена преди повече от две десетилетия е да се достигне плътност от 200 милиарда транзистора на един кристал при 1 nm технологичен процес и цели трилион транзистора в 3D-опаковка. Тази цел съвпада с подобни заявления на Intel, което поставя началото на интригуваща надпревара между двата гиганта в полупроводниковата индустрия.