Учени създадоха чип памет, който поставя под въпрос законите на миниатюризацията

Най-четени

Емил Василев
Емил Василев
Емил Василев редовно превежда сложни научни теми на достъпен език — от въпроси като „Какво е имало преди Големия взрив?" до практическото приложение на биотехнологиите в лечението на болести. Тази комбинация от технологична и научна журналистика го прави един от най-разностранните автори в екипа на Kaldata.

Изследователи от Института по наука в Токио разработиха енергийно ефективна паметна клетка с размер едва 25 нанометра, която е приблизително 3000 пъти по-тънка от човешки косъм. Тази разработка може да промени коренно подхода към създаването на електрониката на бъдещето.

В основата на технологията лежи сегнетоелектрически тунелен преход (FTJ), идеята за който е предложена още през 1971 година. Ключовият пробив настъпи през 2011 година, когато учените откриха, че хафниевият оксид, широко използван материал е способен да запазва електрическата поляризация дори в свръхтънки слоеве.

Основният проблем при миниатюризацията на паметта беше изтичането на ток през границите на миниатюрните кристали в материала. Вместо да се борят с този проблем, екипът на професор Ютаки Маджима избра друг път: те направиха устройството още по-малко, което намали влиянието на кристалните граници. Освен това беше разработен нов метод на производство: нагряването на електродите ги накара да приемат естествена полукръгла форма, създавайки структура, близка до монокристал, с по-малко места за изтичане.

Резултатът надмина очакванията: паметта работи толкова по-добре, колкото по-малък става размерът ѝ, опровергавайки дългогодишно предположение в електрониката.

Ако тази технология намери приложение в реални устройства, това може да доведе до положение, в което умните часовници ще работят месеци наред без презареждане, а мрежите от сензори – без честа нужда от смяна на батериите. В областта на изкуствения интелект такава памет може да осигури по-бърза обработка на данни при значително по-ниска консумация на енергия. Тъй като хафниевият оксид вече е съвместим със съществуващото производство на полупроводници, интегрирането на новата памет в ежедневната електроника може да се случи сравнително бързо.

„Да предизвикваш това, което изглежда като границите на науката – например, не можем да направим нещата по-малки или те ще се счупят, ако го направим, е все едно да вървиш в тъмното. Това е постоянна борба. Въпреки това, като поставяме под съмнение традиционните предположения и изследваме нови начини за преодоляване на тези бариери, успяхме да открием напълно нова перспектива. Бих се радвал, ако това постижение събуди любопитството на младите хора, които ще оформят бъдещето и помогне за изграждането на един по-добър свят.“

коментира професор Ютака Маджима от Лабораторията по материали и структури към Института за комплексни изследвания на Токийския институт

АбонаментВсичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.

С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.


Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!

Абонирай се
Извести ме за
guest

0 Коментара
стари
нови оценка

Нови ревюта

Подобни новини