Оперативната печалба на Samsung е нараснала повече от три пъти през последното тримесечие на фона на високите цени на паметта

В условия, при които цените на паметта се повишават с десетки проценти за едно тримесечие, производителите не могат да се оплачат от влошаване на финансовата среда. През последното тримесечие оперативната печалба на Samsung се е увеличила повече от три пъти до 14 млрд. долара, а приходите са нараснали с 22,7% на годишна база до 64 млрд. долара.

Южнокорейският гигант вече обобщи предварителните резултати за последното тримесечие и за цялата финансова година, но по-късно ще публикува по-подробен отчет за периода. Миналата фискална година се характеризира с ръст на приходите на Samsung от 10,6% до 230 млрд. долара, а целогодишната оперативна печалба се е увеличила с 1/3 до 30 млрд. долара. Всъщност компанията е реализирала почти половината от целогодишната си оперативна печалба през четвъртото тримесечие, което отразява ускоряването на цените на паметта през втората половина на годината. Оперативната печалба през четвъртото тримесечие се е увеличила с 64,3%, докато приходите са се увеличили с 8,1%.

Анализаторите на Macquarie смятат, че именно Samsung ще бъде един от основните бенефициенти в сегмента на компонентите за изкуствен интелект. Според тях дефицитът на памет само се задълбочава, а ситуацията с доставките няма да се нормализира поне до 2028 година. Анализаторите на Counterpoint Research прогнозират, че цените на паметта ще се увеличат с 40 до 50% през текущото тримесечие и ще нараснат с още 20% през второто тримесечие. Динамиката на цените на паметта вече надхвърля постиженията на „суперцикъла“ от 2018 година. Търсенето на памет е достигнало исторически върхове. Акциите на Samsung поскъпнаха с 1,8% при публикуването на предварителните тримесечни резултати.

В новогодишното си обръщение към служителите ръководството на Samsung заяви, че клиентите на компанията са оценили качествата на HBM4 паметта и това ѝ позволява да очаква стопяване на разликата с SK hynix, която се наблюдаваше в сегмента на HBM3E.