Хегемонията на SK hynix в областта на HBM паметта е нарушена: за първи път в историята Samsung е №1 по производство

Най-четени

Емил Василев
Емил Василев
Емил Василев редовно превежда сложни научни теми на достъпен език — от въпроси като „Какво е имало преди Големия взрив?" до практическото приложение на биотехнологиите в лечението на болести. Тази комбинация от технологична и научна журналистика го прави един от най-разностранните автори в екипа на Kaldata.

Дълго време способността да се произвежда HBM памет в прилични количества за нуждите на Nvidia осигуряваше на SK hynix статут на лидер в този обещаващ и печеливш сегмент, а в определен момент компанията изпревари Samsung не само по печалба, но и по приходи. Според съобщения в южнокорейските медии, по отношение на обема на производството на HBM наскоро Samsung е изпреварила SK hynix, с което наруши хегемонията на последната.

По данни на изданието Business Korea, Samsung Electronics наскоро е успяла да достигне месечна обработка на 170 000 силициеви пластини с HBM чипове, докато преди това този брой не е надвишавал 150 000 на месец. При новия крайъгълен камък Samsung оставя зад себе си SK hynix, която е в състояние да произвежда месечно 160 000 силициеви пластини с чипове памет тип HBM.

Според анализатори реваншът на Samsung е станал възможен благодарение на преориентирането на производствените линии от производство на DRAM към производство на HBM, както и на подобряването на технологичните процеси, като в тази посока корейският гигант се движи от втората половина на миналата година, до голяма степен благодарение на смяната на ръководството на подразделението DS, която се състоя през май 2024 година. Към септември тази година HBM3E на Samsung най-накрая успя да премине сертификация от Nvidia, въпреки че преди това страдаше от прегряване и не успя да отговори на всички изисквания на този клиент. Samsung започна да доставя подобна памет и на Google, а наскоро разработената HBM4 вече се доставя от компанията на нейните клиенти под формата на образци.

Samsung разширява производствените си линии P3 и P4 в Пьонгтаек, за да произвежда DRAM кристали по усъвършенствания процес от шесто поколение 1c, за да отговори едновременно на търсенето на HBM. Изграждането на линията P5 е ускорено, което ще увеличи обема на производство на памет в бъдеще. Докато Samsung се фокусира върху преоборудването на съществуващите производствени мощности, за да отговори на нуждите на производството на HBM, SK hynix се опитва да пусне по-бързо в експлоатация специализирани производствени мощности.

През следващата година експертите очакват, че месечните обеми на обработка на 200 000 силициеви пластини с HBM ще бъдат овладени както от Samsung, така и от SK hynix. До средата на 2026 година първата компания ще запази предимството си, но ако през лятото SK hynix пусне в експлоатация своето съоръжение M15X, тя може да си върне лидерството.

В сегмента HBM4 успехът на двете компании ще зависи от различни фактори. Докато Samsung е в състояние да произвежда персонализирани базови кристали, SK hynix ще трябва да разчита на услугите на TSMC в тази област. Тази година делът на HBM на пазара на DRAM трябва да надхвърли 20%, въпреки че миналата година той беше 8%. В същото време производството на HBM е 3-5 пъти по-изгодно на сегашното ценово равнище, отколкото производството на конвенционална DDR. Вертикалната интеграция на бизнеса на Samsung, според някои експерти, ще ѝ осигури определени предимства на пазара на HBM.

АбонаментВсичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.

С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.


Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!

Нови ревюта

Подобни новини