По време на специална конференция, състояла се в град Скотсдейл, Аризона, компанията Micron съобщи постиженията си за изтеклата година и обяви бъдещите си плановете.
Micron работи върху нова, 64-слойна 3D NAND памет от второ поколение. Новата памет значително ще увеличи информационния обем на чиповете и ще намали цената на бит информация (за TLC) най-малко с 30%. Според неофициална информация, Micron ще представи на пазара TLC чипове с обем 768 гигабита и MLC с обем 512 гигабита. За 32-слойните памети информационните обеми са съответно 384 и 256 гигабита. Micron вече предлага на партньорите си първите образци образци от новите памети, а техните масови продажби се очакват не по-рано от месец декември тази година.
Освен това, Micron разработва и 3D NAND памети от трето поколение, тестовите екземпляри от която се очакват в средата на тази година, както и съвсем нова QLC NAND, която може да записва четири бита информация в една клетка.
Тази година започва производството на DRAM памет с кодово име 1Xnm с използването на 20 нанометров технологичен процес.
По време на конференцията бе съобщено и за новото поколение GDDR памет, която ще се използва в съвременните видеокарти и конзоли. GDDR6 с работна честота до 15 GHz се очаква да се появи в началото на 2018 година.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
