Представена е многослойната оперативна памет 3D X-DRAM, която може да революционизира пазара, но е малко вероятно това да стане

Американската компания NEO Semiconductor обяви завършването на разработката и получаването на патенти за първата в света многослойна DRAM памет, създадена по аналогия с 3D NAND. Посочва се, че преходът към “триизмерния“ тип оперативна памет само през следващите 10 години ще увеличи плътността и капацитета на DRAM чиповете осем пъти. Това ще стимулира развитието на платформи с изкуствен интелект и компютрите като цяло, ако технологията се поддържа от производителите.

На премиерата на 3D NAND паметта видяхме, че скокът нагоре – увеличаването на броя на слоевете в микросхемата, вместо площта на единичния кристал – това е много, много удобно. Samsung беше първият, който се доказа в това, представяйки през август 2013 г V-NAND флаш-памет с 24 слоя. Изминаха десет години и днес компаниите предлагат 3D NAND с повече от 200 слоя и обещават в близко бъдеще 500-слойни чипове. Такъв напредък в областта на RAM би бил много търсен днес, когато светът е залят от интерес към големите езикови модели за AI.

Компанията NEO Semiconductor предлага такова решение и е готова да лицензира производствената технология за всички заинтересовани компании. За съжаление, водещите производители на DRAM досега не са проявили интерес към 3D X-DRAM. Самият разработчик в прес-съобщението също не успя да посочи интереса на индустрията към този проект, което повтаря ситуацията с друго революционно изобретение на компанията – X-NAND флаш-паметта. Това предполага, че развитието на технологията е доста грубо или необещаващо от гледна точка на Samsung, SK hynix и Micron.

Все пак остава възможността първите три лидера на пазара на DRAM да не се втурнат към 3D X-DRAM, докато разполагат с планарни технологии за производство на оперативна памет. Всички те имат планове да усвоят производството на чипове със стандарти до 10 nm или по-малко, пътят към който е отложен и многократно проверен. Когато този ресурс се изчерпи, тогава DRAM паметта ще започне да става многослойна.

Разработчикът на 3D X-DRAM към момента разкрива малко информация за новия продукт. На първо място, повишената плътност на клетките и наслояването се постигат чрез елиминиране на кондензаторите в клетката с памет – само транзистор и плаващ заряд. Това е така наречената FBC клетка (floating body cell). Така се постига простота на архитектурата и конструкцията, както и на производствения процес. Например, за основните етапи от обработката на кристалите за 3D X-DRAM ще бъде достатъчен един фотошаблон, според NEO Semiconductor. В същото време, няма да има нужда да се преследват напреднали и тънки технологични процеси – всичко ще започне да работи на етапа на използване на зрели технически процеси.

Компанията очаква да види 3D X-DRAM в производство до 2025 г. или около този период. Надяват се да започнат със 128GВ микросхеми, а след десетина години мечтаят да достигнат плътност от 1 TВ, какъвто беше случаят с 3D NAND паметта. Но без изявления от страна на Samsung и други в подкрепа на начинанието, това е трудно за вярване. Ще се радваме да грешим. Както знаете, никога няма достатъчно памет.