Toshiba Memory Corporation и Western Digital обявиха, че са приключили работата върху четвъртото поколение BiCS (Bit-Cost-Scaling) флаш памет, допускаща създаването на 96-слойни чипове.

Първите 256 Gb TLC NAND чипове, произведени по новата технология, ще започнат да се доставят на OEM партньорите още през втората половина на тази година, а масовото производство е планирано да започне в началото на 2018 година.

Най-важното е, че BiCS4 чиповете ще се предлагат не само като варианти с три (TLC), но и с четири (QLC) бита на една клетка, което значително ще повиши плътността на информацията. Първите 64-слойни прототипи 3D QLC NAND памети са с капацитет 768 Gb или 96 GB. Допуска се обединяването на до четири от новите кристали в един корпус, което дава възможност за масовото производство на чипове флаш памет с рекорден информационен обем от 1,5 TB. Първите образци от новите чипове памет ще бъдат демонстрирани по време на събитието Flash Memory Summit, което ще протече от 7 до 10 август в Санта Клара.

3D QLC NAND паметите ще имат по-ниска цена в сравнение с TLC или MLC, но ще имат по-малък технологичен брой презаписи и ще са особено подходящи за най-евтините SSD или в устройствата за архивно съхранение на информацията.


Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iOS и Huawei!

Абонирай се
Извести ме за
guest
0 Коментара
Отзиви
Всички коментари