SK hynix показа първите 16-слойни HBM4 стекове, LPDDR6 памет и други нови продукти

Производството на HBM3E буквално е златна мина за SK hynix, която значително подобри финансовото състояние на компанията. Поради тази причина тя възлага специални надежди на HBM4 и използва CES 2026, за да покаже образци на 16-слойни чипове с капацитет 48GB.

Според прессъобщение на уебсайта на SK hynix това е първият път, когато тя показва образци на 16-слойна HBM4 памет. Преди това компанията вече показа 12-слойни HBM4 чипове с капацитет 36GB, които осигуряваха скорост на трансфер на информация до 11,7 Gbit/s. SK hynix признава, че по отношение на продажбите именно 36-гигабайтовите HBM3E чипове с 12-слойно оформление ще движат бизнеса на компанията през тази година.

RAM модулите с ниска консумация на енергия от типа SOCAMM2 ще намерят приложение и в сървърния сегмент. В мобилния сегмент LPDDR6 ще бъде оптимизирана за крайни изчисления с изкуствен интелект, като ще се постигне правилният баланс между производителност и консумация на енергия.

На щанда на SK hynix в Лас Вегас ще бъдат представени и образци на 321-слойна QLC 3D NAND флаш памет, която ще позволи създаването на eSSD устройства с голям капацитет. Тази памет също така съчетава висока производителност с ниска консумация на енергия, което е особено ценно в сферата на центровете за обработка на данни.

Компанията ще се фокусира и върху други иновации, включително създаването на персонализиран HBM4, при който някои функции ще бъдат реализирани на ниво базов кристален стек по специфичен за клиента начин. Паметта от тип PIM също е една от най-обещаващите области на развитие на SK hynix. Технологията AiMX предполага ускоряване на изчисленията в системите с изкуствен интелект на ниво памет от типа GDDR6. Друг вид периферни изчисления на ниво памет е технологията Compute-using-DRAM (CuD). Изчисленията ще се извършват дори от страна на SSD, а интерфейсът CXL ще ускори обмена на данни между различните компоненти на изчислителните системи.