Китай постигна голям пробив в технология за производството 2D полупроводникови пластини

Китайски учени са постигнали значителен пробив в областта на полупроводниците, съобщава South China Morning Post (SCMP). С дебелина от само един атом (наричани по този начин „2D“), тези новоразработени 2D полупроводникови пластини могат да бъдат произвеждани евтино и потенциално да революционизират полупроводниковата индустрия, твърдят създателите им.

С дебелина само един атом

Благодарение на своята тънкост, новият 2D материал притежава превъзходни полупроводникови свойства. Въпреки това екипът от учени се сблъсква с предизвикателства, когато трябва да увеличи размера на пластините и да ги произвежда в големи количества.

„Доказахме на индустрията, че това е научно осъществимо и вдъхнахме увереност. Ако в бъдеще са налице промишлени изисквания, напредъкът в тази област ще се развие с големи крачки.“

заяви в ексклузивно интервю за SCMP ръководителят на изследването професор Лиу Кайхуи от Пекинския университет

Както се съобщава в проучване, публикувано в Science Bulletin, новите пластини предлагат някои важни подобрения в сравнение със съществуващите силициеви чипове.

„Когато силициевите транзистори стават по-тънки, техният контрол на напрежението се влошава. Токът ще съществува дори когато устройството не работи. Това води до допълнителни разходи за енергия и генериране на излишна топлина.“

обяснява Лиу

Новият 2D материал се състои от кристални твърди вещества с един или няколко атомни слоя. Благодарение на естествената си дебелина на атомно ниво пластините притежават уникални физични свойства и имат потенциални приложения във високоефективни електронни устройства.

„Транзистор, изграден от един слой MoS2, (типичен 2D материал) с дебелина около 1 nm (нанометър), превъзхожда многократно този, направен със същата дебелина силиций.“

добави Лиу

„Някои 2D материали се считат за основна материална система за интегрална схема с размер 1 nm и по-малък. Те също така са признати от индустрията като способни да продължат или дори да надхвърлят закона на Мур, при който броят на транзисторите в интегралната схема се удвоява на всеки 2 години.“

казва Лиу

Въпреки това досега учените се затрудняват да произвеждат пластини от 2D материали с висока степен на равномерност и производителност на устройствата, въпреки че 2D материали могат да съществуват отделно на всеки слой. Новите пластини могат да се подреждат слой по слой, включително заедно с материали като графен или дихалкогениди на преходни метали (TMD) като молибденов дисулфид, волфрамов дисулфид, молибденов диселенид и волфрамов диселенид.

Можете да се запознаете с проучването в списание Science Bulletin.