В официално съобщение за пресата компанията Samsung заяви, че е разработила първата в света DDR3 памет с капацитет 4GB Захранващото напрежение на новите памети е 1.35 V, което е с 20% по-малко от напрежението 1.5 V, което се използва във всички DDR3 чип памети. Това е позволило общото енергопотребление да бъде намалено с 40%. При изработката е използвана 50 nm технология, а в бъдеще компанията предвижда да създаде чипове оперативна памет с капацитет до 32 GB за един модул.
Според прогнозни данни на International Data Corporation (IDC), продажбите на DDR3 памети в световен мащаб през 2009 ще достигнат 29%, а през 2011 година те ще са 75% от продажбите на всички видове памет.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
