MRAM

Samsung постигна огромни успехи в сферата на MRAM паметите

Samsung публикува специален отчет за своите нови постижения в технологията на магниторезистивната памет с произволен достъп (MRAM). Отделите за научноизследователска и развойна дейност на корейската корпорация са намерили ефективен начин да извършват изчисления в самата MRAM. Това може радикално...

Новите контролери на Phison за флаш дискове ще използват буфер от MRAM памет

Корпорацията Phison Electronics съобщи за плановете си да вгражда буфер, базиран на магниторезистивна памет тип STT-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory). По този начин ще се повиши надеждността и производителността на системите, в които съхраняването на данни е...

Intel е готов за масовото производство на MRAM памет

Интернет изданието EETimes съобщи, че Intel е готов да започне масовото производство на магниторезистивната STT-MRAM оперативна памет (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory). За производството на новия тип RAM процесорният гигант е адаптирал своя 22 нанометров FinFET технологичен процес...

SK Hynix и Toshiba създадоха STT-MRAM модул памет с обем 4 Gb

SK Hynix и Toshiba официално съобщиха за новите си достижения в разработването и производството на магниторезистивна памет (MRAM). Информацията в MRAM паметта се съхранява с помощта на магнитни моменти, а не чрез електрически заряди. Магнитните елементи са сформирани от два...

MRAM-кешът може да понижи консумацията на процесорите с 60%

Toshiba съобщи, че е направила голяма стъпка напред в повишаване ефективността на кеш-паметта в процесорите. Специалистите на компанията са заменили стандартната SRAM памет в процесорните чипове с STT-MRAM (магниторезистивна памет с използване на спиновия момент). Заменяйки стандартната L2 кеш...

Алианс за разработване на единен стандарт за оперативна MRAM памет

Над 20 японски и американски компании от полупроводниковия отрасъл обединиха своите усилия за разработване и представяне на масовия пазар на стандартизирани чипове памет с MRAM технология (magnetoresistive random access memory или магниторезистивна оперативна памет).Паметта от новия тип позволява увеличаването...

Crocus Technology представиха магнитна памет, способна да съхранява осем бита в една клетка

Crocus Technology, известни с разработките си в областта на магнитната памет с произволен достъп (MRAM) представи нова технология, наречена Magnetic Logic Unit (MLU). Проектът е поръчан и се финансира от американското военно агентство Intelligence Advanced Research Projects Activity (IARPA)...

Нови ревюта

На вид е Yoga, отвътре е малка работна станция: тествахме Lenovo Yoga Pro 7i Gen 11

Има един много прост тест за лаптоп, който претендира, че е направен за хора, работещи в движение: колко често се налага да правиш компромис,...

Най-четени