Samsung представи прототип на 3 nm чип с GAAFET транзистори

Към днешен ден най-съвременният технологичен процес е 7 нанометровият, който се използва от TSMC и Samsung за производството на процесори и различни SoC.

Следващият етап е 5 нанометровият технологичен процес, без да вземаме предвид междинните 6 nm. Известно е, че TSMC възнамерява тази година да пробва серийното производство на 5 nm чипове като произведе малка партида от 5 nm чипове. Именно чрез 5 нанометров технологичен процес (N5) TSMC ще произвежда SoC Apple A14 за смартфоните iPhone 12, които ще излязат тази година. Освен това TSMC се подготвя за преминаване към 3 нанометров технологичен процес, което трябва да стане през 2023 година.

Но Samsung дори изпреварва TSMC. Корейската компания още в началото на миналата година приключи разработването на своя нов 5 нанометров технологичен процес FinFET EUV и вече започна работа върху 3 нанометрови чипове. В новия технологичен процес се използва новата транзисторна архитектура gate-all-around FET (GAAFET). Самата Samsung нарича тази технология Multi-Bridge-Channel FET(MBCFET). А сега корейското издание Maeil Economy съобщи, че Samsung е направил първите прототипи на 3 nm чипове.

Архитектурата GAAFET, която ще замени сегашната FinFET, се разработва съвместно от IBM, Globalfoundries и Samsung още от 2000 година. Именно тя се очаква да помогне за преодоляването на ограниченията в производството на MOS транзисторите. Както подсказва името, главната особеност на GAAFET са по-големият брой гейтове. При тази технология гейтовете на GAAFET транзисторите са няколко слоя нанопроводници, формирани в няколко хоризонтално разположени нанолистове. Да си припомним, че гейтът на FinFET е монолитна вертикална конструкция тип „плавник“, която започна да налага сериозни ограничения при използването на твърде малки технологични процеси.

В сравнение с 5LPP технологията, новият 3LPP процес се очаква да намали площта на чиповете с 35% при едновременното намаляване на консумираната енергия с 50%. А при същата консумация на енергия производителността нараства с 33%.

Първата информация, че Samsung работи върху 3 нанометров технологичен процес се появи в началото на миналата година. Тогава южнокорейският производител сподели, че планира да започне производството на 3 nm чипове през 2021 година. Корпорацията може и да успее, след като вече разполага с 3 nm прототипи. Но предстоят още много изследвания и тестове и е напълно вероятно не всички планове да бъдат реализирани навреме, тъй като всеки преход към по-тънък технологичен процес е свързан редица технически нюанси и трудности, като освен това финансовите разходи са огромни.

Това развитие на нещата няма как да не ни радва, а на този фон изоставането на Intel вече е тотално. Samsung е настроена много сериозно в развитието на новата технология и през това десетилетие възнамерява да инвестира в това направление 133 трилиона вони или около $115 милиарда, като явно има намерение да стане неоспорим лидер в производството на полупроводникова индустрия.